企业简介
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连威磊晶科技股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 1734125 |  |
AET | 硅外延片 | 查看详情 |
连威磊晶科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200607116 | 一种发光二极体之结构及其制造方法 | 2006.02.16 | 一种发光二极体之结构，包括：一基板；一N型磊晶层，形成于上述基板上；一发光层，形成于上述N型磊晶层上 |
| 2 | TW461124 | 高透光效率之发光二极体元件 | 2001.10.21 | 一种高透光效率之发光二极体元件，利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率，进而改善发光二极体元件之透光 |
| 3 | TW200541097 | 形成发光二极体透明接触层之方法 | 2005.12.16 | 本发明之透明接触层的形成方法系在发光二极体磊晶层之P型半导体层之上依序形成镍层及金层，然后将上述发光 |
| 4 | TW200607115 | 一种发光二极体之结构及其制造方法 | 2006.02.16 | 一种发光二极体之结构，包括：一基板；一N型磊晶层，形成于上述基板上；一发光层，形成于上述N型磊晶层上 |
| 5 | TWI246782 | 一种发光二极体之结构及其制造方法 | 2006.01.01 | 一种发光二极体之结构，包括：一基板；一N型磊晶层，形成于上述基板上；一发光层，形成于上述N型磊晶层上 |
| 6 | TWI241727 | 一种发光二极体之结构及其制造方法 | 2005.10.11 | 一种发光二极体之结构，包括：一基板；一N型磊晶层，形成于上述基板上；一发光层，形成于上述N型磊晶层上 |
| 7 | CN1624941A | 形成发光二极管的方法 | 2005.06.08 | 本发明是有关于一种形成发光二极管的方法。以微影蚀刻方式定义出发光二极管晶粒以取代切割步骤，并利用化学 |
| 8 | CN1205657C | 将高阻值P型掺杂薄膜活化成低阻值P型掺杂薄膜的制造方法 | 2005.06.08 | 一种将高阻值P型掺杂薄膜活化成低阻值P型掺杂薄膜的制造方法，利用温度梯度变化所产生的能量，高阻值P型 |
| 9 | TW200516786 | 形成发光二极体的方法 | 2005.05.16 | 本发明系有关于一种形成发光二极体的方法。以微影蚀刻方式定义出发光二极体晶粒以取代切割步骤，并利用化学 |
| 10 | CN1200447C | 半导体元件及其制造方法 | 2005.05.04 | 本发明所揭露的半导体元件的制造方法至少包含：选择一暂时性基板，于暂时性基板上完成元件结构，然后，以物 |
| 11 | TWI230475 | 形成发光二极体透明接触层之方法 | 2005.04.01 | 本发明之透明接触层的形成方法系在发光二极体磊晶层之P型半导体层之上依序形成镍层及金层，然后将上述发光 |
| 12 | TWI225315 | 形成发光二极体的方法 | 2004.12.11 | 本发明系有关于一种形成发光二极体的方法。以微影蚀刻方式定义出发光二极体晶粒以取代切割步骤，并利用化学 |
| 13 | TWI221035 | 发光二极体及其制造方法 | 2004.09.11 | 一种发光二极体的制造方法包含：选择一暂时性基板，于上述暂时性基板上以物理或化学方式分割成彼此独立之单 |
| 14 | TW200417050 | 一种新颖性的发光二极体及其制造方法 | 2004.09.01 | 一种发光二极体的制造方法包含：选择一暂时性基板，于上述暂时性基板上以物理或化学方式分割成彼此独立之单 |
| 15 | CN1158697C | 将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法 | 2004.07.21 | 一种将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法，利用温度梯度变化所产生的能量，将高阻值P型掺杂的 |
| 16 | CN1156030C | 具有高透光率的发光二极管元件 | 2004.06.30 | 一种具有高透光率的发光二极管元件，其利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率，进而改善发光二极管元件的 |
| 17 | CN1140919C | 使用激光降低P型薄膜阻值的活化方法 | 2004.03.03 | 一种使用激光降低P型薄膜阻值的活化方法，利用激光使具有高阻值的P型薄膜活化成低阻值P型薄膜；高阻值P |
| 18 | TW579074 | 发光二极体之改良结构 | 2004.03.01 | 本创作所揭露之发光二极体元件，包括：一发光二极体元件结构，上述发光二极体元件结构具有一矩形之形状，上 |
| 19 | CN1136608C | 使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法 | 2004.01.28 | 一种利用远距等离子体将具有高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的方法；上述高阻值P型薄膜为P型掺杂的三 |
| 20 | CN1448984A | 半导体元件及其制造方法 | 2003.10.15 | 本发明所揭露的半导体元件的制造方法至少包含：选择一暂时性基板，于暂时性基板上完成元件结构，然后，以物 |
| 21 | TW523834 | 将高阻値P型薄膜活化成低阻値P型薄膜的制造方法 | 2003.03.11 | 一种新颖的制造方法，利用温度梯度变化所产生之能量，将高阻值P型掺杂的薄膜活化成低阻值P型掺杂的薄膜。 |
| 22 | CN1372328A | 具有光学反射膜的发光二极管 | 2002.10.02 | 一种具有光学反射膜的发光二极管,它包含基板,其特征在于:第一型态半导体形成于透光基板的第一表面;活性 |
| 23 | CN1372305A | 将高阻值P型掺杂薄膜活化成低阻值P型掺杂薄膜的制造方法 | 2002.10.02 | 一种将高阻值P型掺杂薄膜活化成低阻值P型掺杂薄膜的制造方法,利用温度梯度变化所产生的能量,将高阻值P |
| 24 | CN1372307A | 使用雷射光降低P型薄膜阻值的活化方法 | 2002.10.02 | 一种使用雷射光降低P型薄膜阻值的活化方法,利用雷射光使具有高阻值的P型薄膜活化成低阻值P型薄膜高阻值 |
| 25 | CN1372306A | 将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法 | 2002.10.02 | 一种将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法,利用温度梯度变化所产生的能量,将高阻值P型掺杂的 |
| 26 | CN1372304A | 使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法 | 2002.10.02 | 一种利用远距等离子体将具有高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的方法;上述高阻值P型薄膜为P型掺杂的三 |
| 27 | CN1372329A | 具有高透光率的发光二极管元件 | 2002.10.02 | 一种具有高透光率的发光二极管元件,其利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率,进而改善发光二极管元件之 |
| 28 | CN1372301A | 三族金属氮化物元件的制造方法 | 2002.10.02 | 一种三族金属氮化物元件的制造方法,可以改善III族金属氮化物磊晶膜与基板晶格不匹配的问题。本发明利用 |
| 29 | TW488089 | 具光学反射膜之发光二极体 | 2002.05.21 | 本发明之发光二极体包含透光基板，第一型态半导体如n型半导体膜层形成于上述基板之第一表面上。一活性层以 |
| 30 | TW459406 | 使用电浆降低P型薄膜阻値的活化方法 | 2001.10.11 | 一种新颖的活化方法，利用远距电浆使具有高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜;其中，上述高阻值P型薄膜为 |
| 31 | TW459405 | 三族金属氮化物元件之制造方法 | 2001.10.11 | 一种新颖的三族金属氮化物元件之制造方法，可以改善Ⅲ族金属氮化物磊晶膜与基板之晶格不匹配的问题。本发明 |
| 32 | TW440967 | 使用雷射光降低P型薄膜阻値的活化方法 | 2001.06.16 | 一种新颖的活化方法，利用电射光使具有高阻值之P型薄膜活化成低阻值P型薄膜；其中，上述高阻值P型薄膜为 |
| 33 | TW440966 | 将高阻値P型氮化镓薄膜活化成低阻値P型氮化镓薄膜的制造方法 | 2001.06.16 | 一种新颖的制造方法，利用温度梯度变化所产生之能量，将高阻值P型掺杂的薄膜活化成低阻值P型掺杂的薄膜。 |
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